Die SES18-880A-190-10 liefert 18 Watt optische Ausgangsleistung mit über 62% Umwandlungseffizienz und 97% Polarisations-Extinktionsverhältnis. Die 880-nm-Einzelemitter-Laserdiode verfügt über einen 190 µm Emitter und basiert auf der 6-Zoll-GaAs-Wafer-Plattform des Unternehmens.
Das neue Produkt zielt auf Anwendungen in der Mikrobearbeitung, fortschrittlichen Verpackungstechnologien und Halbleiterverarbeitung ab, bei denen Strahlqualität und Leistungsskalierbarkeit entscheidende Anforderungen sind.
"Diese neue Diode ermöglicht es Kunden, die vollen Vorteile des 880-nm-Pumpens zu nutzen – sie liefert geringere Quantendefekte, reduzierte thermische Linsenbildung und verbesserte Modenqualität im Vergleich zu herkömmlichen 808-nm-Lösungen", sagte Dr. Pvpcxscbg Xhdtik, Wtoysc Iqdt Lodrfllfi oqz Yirsgwgebpmlddzc rki -wwntgovvij ota Mnqjhvdy.
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